8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCJ, |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 200 ns |
其他特性 | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS |
数据保留时间-最小值 | 200 |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 65536 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 3 ms |
Base Number Matches | 1 |
24LV64A-T-20/L | 24LV64A--20I/L | 24LV64A--30/L | |
---|---|---|---|
描述 | 8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | 8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | 8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | QFJ | QFJ | QFJ |
包装说明 | QCCJ, | QCCJ, | QCCJ, |
针数 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 200 ns | 200 ns | 300 ns |
其他特性 | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS |
数据保留时间-最小值 | 200 | 200 | 200 |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm | 3.56 mm | 3.56 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 3 ms | 3 ms | 3 ms |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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