2381-595T251K,2381-595T251K pdf中文资料,2381-595T251K引脚图,2381-595T251K电路-Datasheet-电子工程世界

2381-595T251K: 产品描述RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320 V, 96 J, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小250KB，共18页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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2381-595T251K概述

RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320 V, 96 J, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT

温度过高对LED显示屏的影响: 此内容由EEWORLD论坛网友罗姆液晶技术站原创，如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处1:温度过高对LED显示屏有毁灭性的破坏（1）LCD一般以硅胶封装，如果结温超过固相转变温度（一般为125℃），封装的材料往橡胶状态转变并极速加快热膨胀，从而导致LCD液晶屏开路和失效。（2）LCD屏的工作温度超过芯片的最高承载温度会是其发光率快速降低从而产生光衰，那LCD的寿命就是通过光衰来体现的，也...; 罗姆液晶技术站综合技术交流

半导体二极管及其应用测试题: 导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度大于小于等于2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______温度材料掺杂工艺掺杂浓度3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大温度掺杂工艺掺杂浓度4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______高低不变5.N 型半导体______带正电带负电呈中性6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______增大减...; fighting 模拟电子

问一下华为成都研究所的情况: 不知道大家对华为成都研究所有什么了解呢，它主要是搞那些方向的，好像是有微波方向的，不知道是研究生，需要什么方向的专业与其对口，希望知情的给我答案，谢谢了！...; zschen RF/无线

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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