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MRF373ALSR1

产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小480KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF373ALSR1概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

MRF373ALSR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压70 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)278 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF373ALSR1相似产品对比

MRF373ALSR1 MRF373A MRF373ALR1
描述 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 70 V 70 V 70 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 278 W 197 W 197 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 - 符合

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