GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil)
F 0094U
F 0094V
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im
TOPLED
®
Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300
µm
2
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
F 0094U
Bestellnummer
Ordering Code
on request
Features
• Typ. total radiant power: 15 mW @ 100 mA in
TOPLED
®
package
• Chip size 300 x 300
µm
2
• Very highly efficient GaAs LED
• Good linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC or pulsed operations are possible
• High reliability
• High pulse handling capability
Applications
• Miniature photointerrupters
•
•
•
•
•
•
Gehäuse
Package
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,
Oberfläche aufgerauht
Infrared emitting die, top side anode connection, surface
frosted
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß
Infrared emitting die, top side anode connection
Industrial electronics
Drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
F 0094V
Q67220-C1268
2002-02-04
1
F 0094U, F 0094V
Elektrische Werte
(gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
°C)
Electrical values
(measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
°C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
Sperrspannung
Reverse voltage
I
R
= 10
µA,
Symbol
Symbol
min.
λ
peak
Wert
1)
Value
1)
typ.
950
max.
nm
Einheit
Unit
∆λ
55
nm
V
R
5
30
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
t
r
,
t
f
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Gesamtstrahlungsfluβ
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
F 0094U
F 0094V
Temperaturkoeffizient
2)
von
λ
Temperature coefficient
2)
of
λ
I
F
= 100 mA;
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
0.5/0.4
µs
V
F
Φ
e
1.35
3.0
1.5
V
4.8
4.2
TC
λ
8
7
0.3
mW
mW
nm/K
TC
V
-1.5
mV/K
2002-02-04
2
F 0094U, F 0094V
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
Chiphöhe
Die height
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
Symbol
Symbol
min.
0.28
0.28
Wert
1)
Value
1)
typ.
0.3
0.3
76.2
170
185
135
200
max.
0.32
0.32
mm
mm
mm
µm
µm
Einheit
Unit
L
x
L
y
D
H
d
Bezeichnung
Parameter
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Trennverfahren
Dicing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Wert
Value
Aluminium
Aluminum
Goldlegierung
Gold alloy
Sägen
Sawing
Kleben
Epoxy bonding
2002-02-04
3
F 0094U, F 0094V
Grenzwerte
3)
(T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
3)
(T
A
= 25°C)
Bezeichnung
Parameter
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperatur range
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
Maximaler Stoßstrom
maximum surge current
t
p
= 10 µs, D = 0.005
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
I
F
I
S
Wert
Value
- 40...+100
- 40...+100
100
3
Einheit
Unit
°C
°C
mA
A
T
j
125
°C
2002-02-04
4
京公网安备 11010802033920号
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