电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CGS222T350W5L3NG

产品描述CAP,AL2O3,2.2MF,350VDC,10% -TOL,50% +TOL
产品类别无源元件    电容器   
文件大小507KB,共7页
制造商CDE [ CORNELL DUBILIER ELECTRONICS ]
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

CGS222T350W5L3NG概述

CAP,AL2O3,2.2MF,350VDC,10% -TOL,50% +TOL

CGS222T350W5L3NG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1178446840
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL3
电容2200 µF
电容器类型ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
直径63.881 mm
介电材料ALUMINUM
ESR63 mΩ
长度144.143 mm
制造商序列号CGS(NON-POLAR)
负容差10%
端子数量2
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装形式Screw Ends
极性NON-POLARIZED
正容差50%
额定(直流)电压(URdc)350 V
纹波电流7200 mA
系列CGS(NON-POLAR)
端子节距28.6 mm

文档预览

下载PDF文档
Type CGS
High-Cap Screw Terminal Aluminum Electrolytic Capacitor
High CV, Screw Terminal Capacitors
Type CGS screw terminal, aluminum electrolytic ca-
pacitors have a high CV rating and are suitable for use
in most demanding applications requiring high current
filtering or energy storage.
Highlights
High CV rating
High current filtering
Screw terminal
Specifications
75 to 1,500,000 µF
6.3 to 500 WVdc
–10% +75% (6.3 - 150 WVdc)
–10% +50% (200 - 450 WVdc)
Operating Temperature:
–40 ºC to +85 ºC
Ripple Current Multipliers:
Ambient Temperature
Capacitance Range:
Voltage Range:
Capacitance Tolerance:
+45 ºC
2.24
Complies with the EU Directive
2002/95/EC requirement
restricting the use of Lead (Pb),
Mercury (Hg), Cadmium (Cd),
Hexavalent chromium (Cr(VI)),
PolyBrominated Biphenyls (PBB)
and PolyBrominated Diphenyl
Ethers (PBDE).
+55 ºC
2.00
+65 ºC
1.73
+75 ºC
1.41
+85 ºC
1.00
Rated
Voltage
16 to 150
200 to 500
60 Hz
0.9
0.9
1.0
1.0
Ripple Multiplier
120 Hz
300 Hz
1.15
1.25
1000 Hz
1.25
1.40
10 kHz
1.30
1.50
DC Leakage Current:
Click here to see: Hardware & Mounting
Options
QA Stability Test:
Click here to see: Mechanical Details
I = .006 √ CV
Not to exceed 6.0 mA max. after 5 minutes
C = Capacitance in µF
V = Rated Voltage
I = Leakage current in mA
Apply WVdc for 2000 h @ 85 ºC
• Capacitance change ± 10% from initial limits
• DC leakage current: 200% of limit
• ESR: 175% of limit
Typical Performance Curves
CDE Cornell Dubilier • 1605 E. Rodney French Blvd. • New Bedford, MA 02744 • Phone: (508)996-8561 • Fax: (508)996-3830 • www.cde.com
来看看 ST 在CommunicAsia 2017上的方案秀!
在意法半导体展台上的汽车智能驾驶舱模型上,参观者可以看到各种各样的先进驾驶辅助系统(ADAS)元器件。以推动自动驾驶技术取得重大进步为目标,意法半导体汽车半导体解决方案的目标应用包括V2X( ......
soso ST传感器与低功耗无线技术论坛
SensorTag延期到2014年4月30号的正式通知!
私下跟参赛的大多数人沟通过,大家普遍反映时间紧、任务重,所以我们现在正式通知SensorTag大赛延期至4月30号,请大家抓紧时间设计,在4月30号前提交设计和视频,大赛有一定难度,但坚持下来 ......
phantom7 TI技术论坛
关于新建工程的编译错误,请高手看看
VS2005里基于CHSEmu模拟器建立了一个MFC工程,结果编译出现fatal error C1083: Cannot open include file: 'aygshell.h': No such file or directory的错误,之前基于另外的SDK新建的MFC工程是 ......
davidli88 嵌入式系统
改进GSM(EDGE)产品的设计精度
尽管第三代(3G)无线通信技术已开始崭露头角,但无线系统设计人员并没有因此而放缓提高现有手机和基站数据处理能力的努力。这种积极向上的精神带动了所谓2.5G技术的发展,使无线通信经营商可以无 ......
tmily 无线连接
ARM经典300问.pdf
学ARM的一定要看看,很有用的 。...
mxdaiyi ARM技术
EEWORLD大学堂----TI 15.4 协议栈,以及低功耗远距离传感器到云端解决方案介绍
TI 15.4 协议栈,以及低功耗远距离传感器到云端解决方案介绍:https://training.eeworld.com.cn/course/4557TI 15.4-Stack 是基于 IEEE 802.15.4e/g的 射频通信堆栈。它是 SimpleLink CC13xx/CC ......
hi5 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2527  2919  1811  771  1193  51  59  37  16  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved