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2N4960

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N4960概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

2N4960规格参数

参数名称属性值
Objectid1404817739
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量15 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
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