S71JL064HA0BAI01,S71JL064HA0BAI01 pdf中文资料,S71JL064HA0BAI01引脚图,S71JL064HA0BAI01电路-Datasheet-电子工程世界

S71JL064HA0BAI01: 产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PBGA73; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共95页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com; 标准

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S71JL064HA0BAI01概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PBGA73

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1155492797
包装说明	LFBGA, BGA73,10X12,32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
其他特性	SRAM IS ORGANISED AS 1KX16
JESD-30 代码	R-PBGA-B73
长度	11.6 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	73
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA73,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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