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MB85236-12PL

产品描述Nibble Mode DRAM, 1MX9, 120ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小314KB,共5页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB85236-12PL概述

Nibble Mode DRAM, 1MX9, 120ns, CMOS

MB85236-12PL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1167316233
包装说明, SIP30,.2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-609代码e0
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度9
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SIP30,.2
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度21.082 mm
最大待机电流0.009 A
最大压摆率0.45 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
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