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2N6385

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N6385概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N6385规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1520289788
包装说明TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
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