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2N6467

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N6467概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N6467规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1439170967
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压100 V
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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