电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1812B181K402LER

产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00018uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
产品类别无源元件    电容器   
文件大小110KB,共2页
制造商Novacap
官网地址https://www.novacap.eu/en/
标准
相似器件已查找到3个与1812B181K402LER功能相似器件
下载文档 详细参数 全文预览

1812B181K402LER概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00018uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT

1812B181K402LER规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Novacap
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
电容0.00018 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
制造商序列号1812
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
多层Yes
负容差10%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装方法BULK
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)4000 V
表面贴装NO
温度特性代码X7R
温度系数15% ppm/°C
端子形状WIRE
Base Number Matches1

与1812B181K402LER功能相似器件

器件名 厂商 描述
1812B181K402LE Novacap Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00018uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED
1812B181K402LETR Novacap Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00018uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
1812B181K402LET Novacap Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 4000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00018uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED
【NUCLEO-L452RE测评】Run mode 80 MHz 25 °C 8.45mA
[size=14px]直接使用STM32Nucleo_Power_GUI 工具测试Run mode 80 MHz25 °C 8.45mA[/size][size=14px]RUN reduced code Range 1, 80MHz_ 8.87mA(表的误差与测试条件不一样引起)[/size][size=14px][/size][b][color=#5E7384]此内容由EEWORLD论坛网友[...
boming stm32/stm8
【敢挑战吗?】如何利用树莓派将电脑移植到汽车上--EEWORLD大学堂
如何利用树莓派将电脑移植到汽车上[/color][/b]:https://training.eeworld.com.cn/course/2089[b][size=4][color=Magenta]你敢不敢拿自己的车做实验啊:Laugh:挑战一下吧![/color][/size][/b]...
chenyy 汽车电子
电喷富康LPG双燃料轿车的使用保养1
LPG (Liquefied Petroleum Gas)是一种高效、安全、清洁的汽车替代燃料,是目前推广条件最为成熟的低公害汽车燃料。LPG双燃料汽车的推广应用是解决环境污染问题和降低汽车使用成本的重要方法。目前,富康有两款LPG轿车,两厢RDC型和三厢EDC型,发动机均为1.4L电喷型,其LPG系统目前采用的是意大利国际著名燃气成套设备公司OMVL的电喷LPG系统。对于电喷富康轿车,在不改变原...
frozenviolet 汽车电子
GaN Power HEMT > 650 V:与 SiC MOSFET 的参数分析和比较
在过去几年中,SiC MOSFET 在高压 (600V) 和大功率应用中占据主导地位。热导率、高临界场、大大提高的开关效率以及在其表面形成二氧化硅的能力等优势使其能够在关键工艺、设计和可靠性方面得到改进,从而使其能够在一些高增长应用中大规模使用,例如在用于车载充电器、牵引逆变器和直流到直流转换器、光伏逆变器、电机控制、运输系统和电网的电动汽车。早在 1990 年代,关于 GaN 的大多数研究都集中...
兰博 RF/无线
免费 电子竞赛格式
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:40 编辑 [/i]:P 欢迎大家发表意见!...
flomingo 电子竞赛
stm32DMA外设地址计算问题
请教下DMA外设地址计算是怎么出来的,比如ADC1,采用DMA1 通道5,那么ADC1的数据寄存器地址是怎么出来的,查询了下官方手册,感觉和例子的对应不上,不知道是手册的问题,还是我的理解有问题,希望大家能给个满意的答复(能给出公式),谢谢...
2315862 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 413  488  1065  1192  1580 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved