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QM30HA-H

产品描述30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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QM30HA-H概述

30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

QM30HA-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)75
最大降落时间(tf)3000 ns
JESD-30 代码R-PUFM-X3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2 V

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