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IS42S32400J-6BLI

产品描述Synchronous DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小863KB,共60页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS42S32400J-6BLI概述

Synchronous DRAM,

IS42S32400J-6BLI规格参数

参数名称属性值
Objectid8308998464
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码EAR99
YTEOL4
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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