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21L022DC

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
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文件大小146KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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21L022DC概述

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

21L022DC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1435849421
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间650 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
湿度敏感等级2A
功能数量1
端子数量16
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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