Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1156987952 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 650 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 2A |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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