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2SD999K

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小436KB,共5页
制造商Galaxy Microelectronics
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2SD999K概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SD999K规格参数

参数名称属性值
Objectid8328502897
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL7.78
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz

 
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