225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
参数名称 | 属性值 |
最大集电极电流 | 225 A |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
端子数量 | 19 |
额定关断时间 | 340 ns |
加工封装描述 | SIXPACK-19 |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
壳体连接 | ISOLATED |
结构 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
gate_emitter_voltage_max | 20 V |
jesd_30_code | R-XUFM-X19 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 6 |
最大工作温度 | 125 Cel |
包装材料 | UNSPECIFIED |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
larity_channel_type | N-CHANNEL |
wer_dissipation_max__abs_ | 675 W |
qualification_status | COMMERCIAL |
sub_category | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | PURE TIN OVER NICKEL |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
额定导通时间 | 230 ns |
vcesat_max | 2.5 V |
dditional_feature | UL RECOGNIZED |
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