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2N3767: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小53KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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2N3767概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin,

2N3767规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1689287214
零件包装代码	TO-66
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz

2N3767相似产品对比

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描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin,	1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN	1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-66	TO-66	TO-66	TO-66	TO-66	TO-66	TO-66	TO-66
针数	2	2	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	compli	unknown	not_compliant	unknown	_compli	not_compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
集电极-发射极最大电压	80 V	60 V	60 V	80 V	60 V	80 V	80 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	20	20	20	20	20	20
JEDEC-95代码	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA	TO-213AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
Objectid	1689287214	-	1916729005	1916729008	1916729017	-	1916729014	1916729011
包装说明	-	-	TO-66, 2 PIN	TO-66, 2 PIN	TO-66, 2 PIN	TO-66, 2 PIN	TO-66, 2 PIN	TO-66, 2 PIN
参考标准	-	-	MIL-19500/518C	MIL-19500/518C	MIL-19500/518C	MIL-19500/518C	MIL-19500/518C	MIL-19500/518C
晶体管应用	-	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING

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