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MJE13001L-D-AB3-A-R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小181KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE13001L-D-AB3-A-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN

MJE13001L-D-AB3-A-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1322318667
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
元件数量1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.75 W
最大功率耗散 (Abs)0.55 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)8 MHz

 
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