Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4H560838N-LLB3

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K4H560838N-LLB3: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小589KB，共24页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4H560838N-LLB3概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66

K4H560838N-LLB3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Objectid	1122314871
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e3
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR1 DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL

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Rev. 1.01, May. 2010

K4H560438N

K4H560838N

K4H561638N

256Mb N-die DDR SDRAM

66TSOP-(II) with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

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ⓒ

-1-

K4H560438N

K4H560838N

K4H561638N

datasheet

Rev. 1.01

DDR SDRAM

Table Of Contents

256Mb N-die DDR SDRAM

1. Key Features................................................................................................................................................................. 4

2. Ordering Information ..................................................................................................................................................... 4

3. Operating Frequencies ................................................................................................................................................. 4

4. Pin / Ball Description ..................................................................................................................................................... 5

5. Package Physical Dimension........................................................................................................................................ 6

6. Block Diagram (16Mb x4 / 8Mbx8 / 4Mx16 I/O x4 Banks) ............................................................................................ 7

7. Input/Output Function Description ................................................................................................................................ 8

8. Command Truth Table .................................................................................................................................................. 9

9. General Description ...................................................................................................................................................... 10

10. Absolute Maximum Rating .......................................................................................................................................... 10

11. DC Operating Conditions ............................................................................................................................................ 10

12. DDR SDRAM Spec Items & Test Conditions .............................................................................................................. 11

13. Input/Output Capacitance ........................................................................................................................................... 11

14. Detailed test condition for DDR SDRAM IDD1 & IDD7A ............................................................................................ 12

15. DDR SDRAM IDD Spec Table .................................................................................................................................... 13

16. AC Operating Conditions ............................................................................................................................................ 14

17. AC Overshoot/Undershoot specification for Address and Control Pins ...................................................................... 14

18. Overshoot/Undershoot specification for Data, Strobe and Mask Pins ........................................................................ 15

19. AC Timing Parameters & Specifications ..................................................................................................................... 16

20. System Characteristics for DDR SDRAM ................................................................................................................... 17

21. Component Notes ....................................................................................................................................................... 18

22. System Notes.............................................................................................................................................................. 20

23. IBIS : I/V Characteristics for Input and Output Buffers................................................................................................ 21

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