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K4H560838F-TLB0

产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
产品类别存储    存储   
文件大小366KB,共24页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4H560838F-TLB0概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66

K4H560838F-TLB0规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1122314824
包装说明TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e0
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR1 DRAM
内存宽度8
端子数量66
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
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