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RB154

产品描述1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小74KB,共2页
制造商Bytes
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RB154概述

1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RB154规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压400 V
最大平均输入电流1.5 A
加工封装描述PLASTIC, WOB, 4 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸CYLINDRICAL
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
相数1
最大重复峰值反向电压400 V
最大非重复峰值正向电流50 A

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RB151
THRU
RB157
SINGLE PHASE 1.5 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.5 Amperes
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
* Weight: 1.04 grams
.150(3.8)
.130(3.3)
RB-15
.358
(9.1)
MAX.
1.2
(30.5)
MIN.
1.0
(25.4)
MIN.
POS.
LEAD
.220(5.6)
.180(4.6)
.032(0.8)
.028(0.7)
.220(5.6)
.180(4.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=25 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
Ta=100 C
RB151 RB152 RB153 RB154 RB155 RB156 RB157 UNITS
50
100
200
400
600
800
1000
V
35
70
140
280
420
560
700
V
50
100
200
400
600
800
1000
V
1.5
50
1.0
10
500
-65 +125
-65 +150
A
A
V
µA
µA
C
C
146

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RB154 RB157 RB156 RB155 RB153
描述 1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

 
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