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HY23C64200M-120: 产品描述MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小114KB，共7页; 制造商MagnaChip; 官网地址http://www.magnachip.com/index/index_cn.php

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HY23C64200M-120概述

MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48

参数名称	属性值
Objectid	104774805
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	16
端子数量	48
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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