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MWT-470SN

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小465KB,共5页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-470SN概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

MWT-470SN规格参数

参数名称属性值
Objectid1404838744
包装说明MICROWAVE, S-CQMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.105 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码S-CQMW-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.27 W
最小功率增益 (Gp)7.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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