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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RBA-406B
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RBA-406B

产品描述60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB，共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RBA-406B概述

60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RBA-406B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SANKEN
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.62 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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Bridge Diodes (Schottky Barrier)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
I
F AV）
（
（A）
（V）
With
Heatsink
Electrical Characteristics（Ta＝25℃）
V
F
（V）
max per
I
F
element （A）
I
R
（mA）
V
R
＝V
RM
max per element
Others
Rth j-c） Mass
（
Fig.
（℃/ W） （g）
I
FSM
（A）
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
Tstg
（℃） （℃）
I
R
（H）
（mA）
V
R
＝V
RM,
Ta＝100℃
max per element
（ns）
I
F
/
I
RP
（mA）
t
rr
RBA-404B
RBA-406B
RBA-1004B
40
4.0
60
40
10.0
60
40
−
40 to
＋
125
0.55
2.0
0.62
0.55
5.0
5.0
35
（Tj ＝ 125℃）
2.0
20
100
100/100
5.0
4.25
A
RBA-404B
I
F
（
（AV）
A）
4.0
Reverse Current I
R
（mA）
T
a
= 125℃
100℃
Forward Current I
F
A）
（
I
FSM
（A）
20
10
20
10
I
FSM
（A）
Ta−I
F
（AV）
Derating
V
F
−I
F
Characteristics
(Typical)
V
R
−I
R
Characteristics
(Typical)
I
FMS
Rating
40
3.2
20ms
Average Forward Current
1
2.4
1
0.1
60℃
Peak Forward Surge Current
30
20
1.6
0.1
0.8
T
a
= 125℃
100℃
60℃
26℃
0
0.5
1.0
1.5
0.01
25℃
10
0
0
25
45 50
75
100
125
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta
（℃）
Forward Voltage V
F
V）
（
Reverse Voltage
V
R
（V）
Overcurrent Cycles
RBA-406B
I
F
（
（AV）
A）
4.0
Forward Current I
F
A）
（
10
Reverse Current I
R
（mA）
10
3.2
100℃
1
60℃
0.1
25℃
0.01
I
FSM
（A）
50
30
I
FSM
（A）
Ta−I
F
（AV）
Derating
V
F
−I
F
Characteristics
(Typical)
V
R
−I
R
Characteristics
(Typical)
T
a
= 125℃
I
FMS
Rating
40
20ms
2.4
1
Peak Forward Surge Current
30
Average Forward Current
20
1.6
0.1
T
a
= 125℃
100℃
60℃
25℃
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.8
0.01
10
0
0
25
40 50
75
100
125
0.001
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta
（℃）
Forward Voltage V
F
V）
（
Reverse Voltage
V
R
（V）
Overcurrent Cycles
RBA-1004B
Average Forward Current I
F
（
（AV）
A）
10
Sinewave
Forward Current I
F
A）
（
8
D.C.
t /T = 1/2
10
Reverse Current I
R
（mA）
T
a
= 125℃
10
100℃
50
40
30
20
10
0
I
FSM
（A）
50
100
I
FSM
（A）
Tc−I
F AV）
Derating
（
V
F
−I
F
Characteristics
(Typical)
V
R
−I
R
Characteristics
(Typical)
I
FMS
Rating
60
20ms
6
1
t /T = 1/ 3
t /T = 1/6
Tj ＝125℃
V
R
＝ 40V
1
60℃
4
0.1
2
0.01
0
t
T
0
20
40
60
80
100
120 140
T
a
= 125℃
100℃
60℃
25℃
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
25℃
0.01
0.005
0.001
Peak Forward Surge Current
0
10
20
30
40
50
60
1
5
10
50
Case Temperature Tc ℃）
（
Forward Voltage V
F
V）
（
Reverse Voltage
V
R
（V）
Overcurrent Cycles
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
φ
3.2
C 3.14
25
5.5 5.4
4.6
3.6
7.5 7.5 7.5
3.3
10.0
2.0
1.0
+
--
-
0.7
15.0
1.0
+
--
-
25

RBA-406B相似产品对比

RBA-406B RBA-404B RBA-1004B
描述 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称 SANKEN SANKEN SANKEN
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A 60 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 4 4 4
最大输出电流 4 A 4 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 60 V 40 V 40 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE

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