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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RBV-1506S
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RBV-1506S

产品描述15 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB，共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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RBV-1506S概述

15 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RBV-1506S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SANKEN
包装说明R-PSFM-T4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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Bridge Diodes
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
With Heatsink
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Tstg
(°C)
V
F
(V)
max per
I
F
element
(A)
I
R
(µA)
V
R
= V
RM
I
R
(H)
(µA)
V
R
=V
RM,
Tj=100°C
Rth ( j-c)
(°C/ W)
Others
Mass
Fig.
(g)
I
FSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
(°C)
max per element max per element
RBV-1306
RBV-1506S
600
13
80
150
1.2
1.1
–40 to +150
6.5
10
100
15
200
25
350
7.5
200
1.05
50
12.5
1.5
6.45
A
RBV-1506
RBV-2506
RBV-1306
Tc—I
F(AV)
Derating
14
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
Forward Power Loss P
f
(W)
I
F(AV)
—P
f
Characteristics
50
I
FSM
(A)
80
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Tj = 150°C
12
10
t /T= 1/ 3, Sinewave
t /T = 1/2
D.C.
40
8
6
4
2
0
30
t /T= 1/ 3, Sinewave
t /T = 1/2
D.C.
Peak Forward Surge Current
t
T
20ms
60
40
20
20
10
20
40
60
80 100 120 140
Case Temperature Tc
(°C)
160
0
2
4
6
8
10
12 14
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RBV-1506S
Tc—I
F(AV)
Derating
15
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
I
F(AV)
—P
f
Characteristics
I
FSM
(A)
I
FMS
Rating
150
I
FSM
(A)
t /T = 1/2
Forward Power Loss P
f
(W)
50
Tj = 150°C
t
T
t /T= 1/ 3, Sinewave
t /T
=
1/ 3,
Sinewave
12
t /T = 1/6
9
D.C.
40
20ms
t /T = 1/6
30
Peak Forward Surge Current
100
6
20
t /T = 1/2
10
D.C.
50
3
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature Tc
(°C)
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
RBV-1506
Tc—I
F(AV)
Derating
15
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
I
F(AV)
—P
f
Characteristics
I
FSM
(A)
Forward Power Loss P
f
(W)
12
t /T =1/ 3, Sinewave
t /T = 1/6
D.C.
40
t
T
t /T
=
1/ 3,
Sinewave
t /T = 1/6
I
FSM
(A)
t /T = 1/2
50
200
I
FMS
Rating
Tj = 150°C
20ms
150
9
30
Peak Forward Surge Current
100
6
20
t /T = 1/2
3
10
D.C.
50
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature Tc
(°C)
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16
Average Forward Current I
F (AV)
(A)
0
1
5
10
Overcurrent Cycles
50
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
C3
30
3.2
±0.1
4.6
3.6
+
4-1.0
10
–
11
13
0.7
17.5
20.0
7.5 7.5
2.7
+
–
22

RBV-1506S相似产品对比

RBV-1506S RBV-2506 RBV-1506 RBV-1306
描述 15 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 15 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 13 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
针数 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 150 A 350 A 200 A 80 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最大输出电流 15 A 25 A 15 A 13 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V 600 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
Base Number Matches 1 - 1 1

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