datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RBV-404B
PDF数据手册
文档预览

RBV-404B

产品描述4 A, 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB，共1页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RBV-404B概述

4 A, 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RBV-404B规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANKEN
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

文档预览

下载PDF文档
Bridge Diodes (Schottky Barrier)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Type No.
V
RM
(V)
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
V
F
(V)
max per
element
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
I
R
(mA)
V
R
= V
RM
max per element
Others
Rth ( j-c)
I
F
/
I
RP
(mA)
(°C/ W)
Mass
Fig.
(g)
50Hz
With
Half-cycle Sinewave
Heatsink
Single Shot
I
F
(A)
I
R
(H)
(mA)
V
R
=V
RM,
Ta=100°C
max per element
t
rr
(ns)
RBV-404B
RBV-406B
RBV-1004B
40
4.0
60
40
10.0
60
40
–40 to +125
0.55
2.0
0.62
0.55
5.0
5.0
35
(Tj = 125°C)
2.0
20
100
100/100
5.0
4.25
A
RBV-404B
Ta—I
F(AV)
Derating
4.0
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
20
10
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
20
10
40
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
I
F(AV)
(A)
T
a
= 125ºC
100ºC
Reverse Current I
R
(mA)
Forward Current I
F
(A)
3.2
20ms
Average Forward Current
1
2.4
1
0.1
60ºC
Peak Forward Surge Current
30
20
1.6
0.1
0.8
Ta = 125ºC
100ºC
60ºC
26ºC
0.01
25ºC
10
0
0.01
0
25
45 50
75
100
125
0.001
0
0.5
1.0
1.5
0
10
20
30
40
50
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta (°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
RBV-406B
I
F(AV)
(A)
10
10
I
FSM
(A)
T
a
= 125ºC
100ºC
Forward Current I
F
(A)
Reverse Current I
R
(mA)
I
FSM
(A)
4.0
Ta—I
F(AV)
Derating
50
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
30
40
I
FMS
Rating
3.2
20ms
Average Forward Current
2.4
1
1
60ºC
0.1
25ºC
0.01
Peak Forward Surge Current
30
20
1.6
0.1
Ta = 125ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.8
0.01
10
0
0.001
0
25
40 50
75
100
125
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
5
10
50
Ambient Temperature Ta (°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
RBV-1004B
Tc—I
F(AV)
Derating
10
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
50
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
I
FSM
(A)
100
T
a
= 125ºC
60
50
40
30
20
10
0
I
FMS
Rating
I
FSM
(A)
Average Forward Current I
F(AV)
(A)
Sinewave
Forward Current I
F
(A)
8
D.C.
t /T = 1/2
Reverse Current I
R
(mA)
10
10
20ms
6
1
t /T= 1/ 3
t /T = 1/6
Tj
=125ºC
V
R
=
40V
1
60ºC
4
0.1
Ta = 125ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.1
25ºC
0.01
0.005
2
0.01
0
t
T
0
20
40
60
80
100
120 140
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Peak Forward Surge Current
100ºC
0
10
20
30
40
50
60
1
5
10
50
Case Temperature Tc
(°C)
Forward Voltage V
F
(V)
Reverse Voltage
V
R
(V)
Overcurrent Cycles
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig.
A
C3
25
3.2
±0.1
4.6
3.6
+
4---1.0
7.5
7.5
–
9.5
13
0.7
17.5
15.0
7.5
2.7
±0.1
+
–
25

RBV-404B相似产品对比

RBV-404B RBV-406B RBV-1004B
描述 4 A, 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, 60 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称 SANKEN SANKEN SANKEN
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 UL FLAMMABILITY UL FLAMMABILITY UL FLAMMABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A 60 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 4 4 4
最大输出电流 4 A 4 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 60 V 40 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE

推荐资源

光电控制衰减电路b

直流电动机的正反转控制电路b

给石英钟增加音乐报时功能电路（二）

脉冲电话长话控制电路

风力电池充电器

MAX834,835的典型应用电路图

器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. VI-263-CY-F3
  2. 652561-BW-DN
  3. 2M803-003-02ZN12-220SN
  4. JTL07RE-8-44SB(004)
  5. GSX49-3H/2C2FF20.507MHZ
  6. TMM-132-04-F-S-SM-15-P-M
  7. LJT01RT-15-19P(453)
  8. PAC600403487FAC000
  9. 1N5228AT/B
  10. C6351M-GP-LL
  11. 0201WMF3903TEE
  12. TC0550B150JT5E

开源项目推荐更多

  1. OP262HRUZ高速仪表放大器典型应用电路
  2. NCV47711 5 V 至 20 V 可调 LDO 的典型应用，具有可调电流限制和 3.3 V 逻辑兼容启用输入
  3. CAT4201 350 mA 高效降压 LED 驱动器的典型应用
  4. S32K3x4-Q172通用开发板
  5. LT3091MPT7 基准缓冲器的典型应用
  6. DER-909 - 使用 InnoSwitch3-EP PowiGaN 的 45 W 隔离反激式适配器
  7. DS51220C，使用 MCP3004 的演示板，12 位，100-KSPS，4CH/8CH 模数转换器子板
  8. DC2159A，FMC 转 USB 适配器，用于连接示波器演示板
  9. ST1843K1耐辐射电流模式PWM控制器典型应用电路
  10. 低压热插拔控制器忽略背板噪声和浪涌

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 欧盟计划投资1770亿美元支持区块链、5G等新型技术
  2. STM32单片机实现DMA+ADC+UART功能
  3. 自动量程万用表的实现原理_一文看懂万用表原理、使用及保养
  4. 数字万用表测量电容的四个小方法
  5. STM32F0单片机快速入门五: GPIO中断
  6. 汽车安全,网络安全,英飞凌,PSoC,微控制器
  7. 吉时利6430亚fA程控源表的特点及功能应用
  8. 基于LM1876的20W立体声放大器电路

技术资料推荐更多

  1. 3842电路的保护
  2. 超级点阵,上位机发送单片机显示资料
  3. 1.8V 5.2 GHz 差分结构CMOS 低噪声放大器
  4. 人体接近监测
  5. 电子线路实验
  6. 三极管应用手册最大功率电流
  7. HMC830的低相噪低杂散频率源的设计
  8. 高稳定性电源管理芯片设计技术的研究
  9. A 256K ROM Fabricated Using n-Well CMOS
  10. 锁相环电机转速控制系统的研究

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1580  757  158  491  729  23  30  4  42  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved