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HL7859MG

产品描述Visible High Power Laser Diode
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小26KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HL7859MG概述

Visible High Power Laser Diode

HL7859MG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明HERMETIC, LD/MG, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度60 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
峰值波长785 nm
半导体材料GaAlAs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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HL7859MG
Visible High Power Laser Diode
Description
The HL7859MG is a 0.78
µm
band GaAlAs laser diode with a multi-quantum well (MQW)structure.
It is suitable as a light source for optical disc memories and various other types of optical equipment.
Hermetic sealing of the small package (φ5.6 mm) assures high reliability.
Application
Optical disc memories.
Features
High output power
Visible light output
Small package
Low astigmatism
: 35 mW (CW)
:
λp
= 775 to 795 nm
:
φ
5.6 mm dia.
: 5
µm
Typ (P
O
= 5 mW)
185
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