Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | QFP, QFP100,.7X.9 |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 6.5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 125 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 16777216 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QFP |
封装等效代码 | QFP100,.7X.9 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 |
座面最大高度 | 3.22 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流 | 0.002 A |
最大压摆率 | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
IS42G32256-8PQ | IS42G32256-7PQ | IS42G32256-10PQ | |
---|---|---|---|
描述 | Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 | Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 | Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
包装说明 | QFP, QFP100,.7X.9 | 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 | 14 X 20 MM , PLASTIC, QFP-100 |
针数 | 100 | 100 | 100 |
Reach Compliance Code | _compli | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 6.5 ns | 6 ns | 7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 125 MHz | 143 MHz | 100 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
内存密度 | 16777216 bi | 16777216 bit | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 100 | 100 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QFP | QFP | QFP |
封装等效代码 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 | 2048 | 2048 |
座面最大高度 | 3.22 mm | 3.22 mm | 3.22 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES |
连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
最大压摆率 | 0.17 mA | 0.195 mA | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
厂商名称 | - | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
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