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BR24G02FVT-3GTE2

产品描述EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共19页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR24G02FVT-3GTE2概述

EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

BR24G02FVT-3GTE2规格参数

参数名称属性值
Objectid1153363390
包装说明TSSOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL5.8
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.4 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型I2C
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
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