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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FRC230H
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FRC230H

产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小387KB，共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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FRC230H概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

FRC230H规格参数

参数名称属性值
Objectid1925588800
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.75 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码X-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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