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24FC1026-I/SM

产品描述eeprom 1024k 128k X 8 2.5V HI-spd EE 128byte PG
产品类别存储    存储   
文件大小442KB,共29页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24FC1026-I/SM概述

eeprom 1024k 128k X 8 2.5V HI-spd EE 128byte PG

24FC1026-I/SM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度5.26 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
反向引出线NO
座面最大高度2.03 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

24FC1026-I/SM相似产品对比

24FC1026-I/SM 24AA1026T-I/SN 24LC1026T-I/SN 24AA1026T-I/SM 24LC1026T-I/SM 24LC1026-E/SN 24LC1026-I/P
描述 eeprom 1024k 128k X 8 2.5V HI-spd EE 128byte PG eeprom 1024k 128K X 8 1.8V ser EE 128 byte page eeprom 1024k 128K X 8 2.5V ser EE 128 byte page eeprom 1024k 128K X 8 1.8V ser EE 128 byte page eeprom 1024k 128K X 8 2.5V ser EE 128 byte page eeprom 1024k 128K X 8 2.5V ser EE 128 byte page eeprom 1024k 128K X 8 2.5V ser EE 128 byte page
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC DIP
包装说明 SOP, SOP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.3 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8 SOP, SOP8,.25 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
针数 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 7 weeks 10 weeks 10 weeks 7 weeks 7 weeks 10 weeks 15 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200 200 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 5.26 mm 4.9 mm 4.9 mm 5.26 mm 5.26 mm 4.9 mm 9.271 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 1 3 3 3 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SOP SOP SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.3 SOP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 NOT APPLICABLE
电源 2/5 V 1.8/5 V 3/5 V 1.8/5 V 3/5 V - 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 1.75 mm 1.75 mm 2.03 mm 2.03 mm 1.75 mm 5.334 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA 0.005 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.7 V 2.5 V 1.7 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40 NOT APPLICABLE
宽度 5.25 mm 3.9 mm 3.9 mm 5.25 mm 5.25 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
其他特性 - 200 YEARS DATA RETENTION - 200 YEARS DATA RETENTION 200 YEARS DATA RETENTION - 200 YEARS DATA RETENTION
标称供电电压 (Vsup) - 5 V - 5 V 5 V - 5 V
安检门原理
一、安检门原理由晶振产生3.5-4.95M的正弦振荡,由分频器分频为7.8K左右正弦波,经三极管与线圈进行功率放大后输入门板(7区)大线圈进行电磁波发射,由门内1-6区线圈分别进行接收。接收后,将接收到的信号与基准信号进行了比较,发现变化后,改变采集卡输出电平,CPU在300毫秒内对6个区位采集卡[url=http://www.recdata.cn/][color=#0000ff]数据[/colo...
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