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M29W320EB70ZS6F

产品描述Flash, 2MX16, 70ns, PBGA64,
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共65页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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M29W320EB70ZS6F概述

Flash, 2MX16, 70ns, PBGA64,

M29W320EB70ZS6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid109555399
包装说明BGA, BGA64,8X8,40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码S-PBGA-B64
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
部门数/规模8,63
端子数量64
字数2097152 words
字数代码2000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模8K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE

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M29W320ET
M29W320EB
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block)
3V supply Flash memory
Features
Supply voltage
– V
CC
= 2.7V to 3.6V for Program, Erase and
Read
– V
PP
=12V for Fast Program (optional)
Access times: 70, 90ns
Programming time
– 10μs per byte/word typical
– Double word/ Quadruple byte Program
Memory Blocks
– Memory Array: 63 Main Blocks
– 8 Parameter Blocks (Top or Bottom
Location)
Erase Suspend and Resume modes
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
Unlock Bypass Program command
– Faster Production/Batch Programming
V
PP
/WP pin for fast Program and Write Protect
Temporary Block Unprotection mode
Common Flash Interface
– 64 bit Security code
Extended memory Block
– Extra block used as security block or to
store additional information
Low power consumption
– Standby and Automatic Standby
100,000 Program/Erase cycles per block
Electronic signature
– Manufacturer code: 0020h
– Top Device code M29W320ET: 2256h
– Bottom Device code M29W320EB: 2257h
RoHS
®
packages available
FBGA
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
BGA
TFBGA48 (ZE)
6 x 8 mm
FBGA64 (ZS)
11 x 13 mm
May 2009
Rev 9
1/65
www.numonyx.com
1
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