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1SV214TPH3

产品描述DIODE VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小173KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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1SV214TPH3概述

DIODE VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

1SV214TPH3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性SMALL TRACKING ERROR, 2.5% MATCHED SETS ARE AVAILABLE
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
最小二极管电容比5.9
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
最大反向电流0.01 µA
反向测试电压28 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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1SV214
TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SV214
TV Tuning
High capacitance ratio: C2 V/C25 V = 6.5 (typ.)
Low series resistance: r
s
= 0.4
(typ.)
Excellent C-V characteristics, and small tracking error.
Useful for small size tuner.
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
V
RM
T
j
T
stg
Rating
30
35 (R
L
=
10 kΩ)
125
−55~125
Unit
V
V
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1E1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Symbol
V
R
I
R
C2 V
C25 V
C2 V/C25 V
r
s
I
R
=
1
µA
V
R
=
28 V
V
R
=
2 V, f
=
1 MHz
V
R
=
25 V, f
=
1 MHz
V
R
=
5 V, f
=
470 MHz
Test Condition
Weight: 0.004 g (typ.)
Min
30
14.16
2.11
5.90
Typ.
6.50
0.4
Max
10
16.25
2.43
7.15
0.55
Unit
V
nA
pF
pF
Note 1: Units are compounded in one package and are matched to 2.5%.
C (max)
C (min)
<
=
0.025
C (min)
(V
R
=
2~25 V)
Marking
1
2003-04-02
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