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DS2400Z

产品描述Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4,
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文件大小210KB,共6页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2400Z概述

Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4,

DS2400Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
内存密度64 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度1
功能数量1
端子数量4
字数64 words
字数代码64
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SOT-223
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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