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BS107P: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小20KB，共1页; 制造商Diodes Incorporated; 标准

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BS107P概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

BS107P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	17 weeks
Samacsys Confidence	4
Samacsys Status	Released
Samacsys PartID	624474
Samacsys Pin Count	3
Samacsys Part Category	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category	Other
Samacsys Footprint Name	E-Line (TO-92 Compatible)
Samacsys Released Date	2020-01-22 09:54:45
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.12 A
最大漏极电流 (ID)	0.12 A
最大漏源导通电阻	30 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	7 pF
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ