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UN1114

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小178KB,共13页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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UN1114概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN

UN1114规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1
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