DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最小击穿电压 | 30 V |
配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容 | 1.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.85 V |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
最大输出电流 | 50 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.1 µA |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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