电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

S-LBSS8402DW1T1G

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-88, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小999KB,共6页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
下载文档 详细参数 全文预览

S-LBSS8402DW1T1G概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-88, 6 PIN

S-LBSS8402DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.13 A
最大漏源导通电阻3.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 651  1127  1163  1416  1588 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved