电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

OM6502ST

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小19KB,共2页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

OM6502ST概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

OM6502ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)1500 ns
门极发射器阈值电压最大值4 V
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)1000 ns
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)700 ns
标称接通时间 (ton)150 ns

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 265  400  996  1550  1654 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved