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JANS1N6126US

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共4页
制造商Harwin
官网地址http://www.harwin.com/
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JANS1N6126US概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

JANS1N6126US规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harwin
包装说明O-XELF-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压61.2 V
击穿电压标称值68 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压98 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XELF-N2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)225
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压51.7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N6102US thru 1N6137US
1N6103AUS thru 1N6137AUS
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
BR MIN
= 6.12 -180V
V
RWM
= 5.2 - 152V
V
C
(max) = 11 - 273V
I
(BR)
1N6102 - 1N6137 = 5mA - 175mA
Features
Low dynamic impedance
Hermetically sealed non-cavity construction
500 watt peak pulse power
1.5W continuous
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.
They can be supplied fully released as JANTX,
JANTXV and JANS versions.
Electrical Specifications
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Device
Type
Minimum
Breakdow n
Voltage
V
(BR)
@ I
(BR)
Volts
Test
Working
Current Pk. Reverse
I
(BR)
Voltage
V
RWM
mA
175
175
175
150
150
150
150
125
125
125
125
100
100
100
100
75
75
75
75
Volts
5.2
5.7
5.7
6.2
6.2
6.9
6.9
7.6
7.6
8.4
8.4
9.1
9.1
9.9
9.9
11.4
11.4
12.2
12.2
Maximum
Reverse
Current
I
R1
µA
100
50
50
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1
Maximum
Clamping
Voltage
V
C
@ I
P
Volts
11.0
11.8
11.2
12.7
12.1
14.0
13.4
15.2
14.5
16.3
15.6
17.7
16.9
19.0
18.2
21.9
21.0
23.4
22.3
Maximum
Pk. Pulse
Current I
P
T
P
= 1mS
Amps
45.4
42.4
44.6
39.4
41.3
35.7
37.3
32.9
34.5
30.7
32.0
28.2
29.6
26.3
27.5
22.8
23.8
21.4
22.4
Temp.
Coeff. of
V
(BR)
α
(VZ)
% °C
/
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
Maximum
Reverse
Current
I
R2
@ 150°C
µA
4,000
750
750
500
500
300
300
200
200
200
200
150
150
150
150
100
100
100
100
www.semtech.com
1N6102
1N6103
1N6103A
1N6104
1N6104A
1N6105
1N6105A
1N6106
1N6106A
1N6107
1N6107A
1N6108
1N6108A
1N6109
1N6109A
1N6110
1N6110A
1N6111
1N6111A
6.12
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.0
9.50
9.9
10.45
10.8
11.4
11.7
12.35
13.5
14.25
14.4
15.2
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