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GBU1005HC2G

产品描述Bridge Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小208KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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GBU1005HC2G概述

Bridge Rectifier Diode,

GBU1005HC2G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压600 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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GBU1001 - GBU1007
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
10A, 50V - 1000V Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers
FEATURES
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength of 1500 VRMS
- High surge current capability
- Typical I
R
less than 0.1μA
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
GBU
MECHANICAL DATA
Case:
GBU
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Polarity:
As marked
Weight:
4 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
Maximum reverse current @ rated V
R
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
GBU
1001
50
35
50
GBU
1002
100
70
100
GBU
1003
200
140
200
GBU
1004
400
280
400
10
220
200
1.0
1.1
5
500
211
2
21
- 55 to +150
- 55 to +150
94
GBU
1005
600
420
600
GBU
1006
800
560
800
GBU
1007
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
I
R
C
J
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
μA
pF
°C/W
°C
°C
Typical junction capacitance per leg (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Document Number: DS_D1409018
Version: J15
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