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1N5737BTRLEADFREE: 产品描述Zener Diode, 11V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小35KB，共1页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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1N5737BTRLEADFREE概述

Zener Diode, 11V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

串口里，有队列和只有缓冲区的程序区别在哪，如何区别应用？: 如题，看到有的串口程序。设置了队列。还有头尾指针，数据计数。而有的只设置了缓冲区。请问，什么时候用哪种方式呢？另：都是用队列，有的用的蛮细：出队列，入队列。头指针&尾指针的比较，从而判断队列空&满。弄的好细微。比如周立功的。而有的呢，感觉用的蛮简单。请问：同是队列，差别咋这么大咧？以下是简单的：void USART1PutDatatoBuf(u8 dat){u32 tmphead;tmphea...; yanse51 stm32/stm8

两个单片机编程思想: 分层思想分层的思想，并不是什么神秘的东西，事实上很多做项目的工程师本身自己也会在用。看了不少帖子都发现没有提及这个东西，然而分层结构确是很有用的东西，参透后会有一种恍然大悟的感觉。如果说我不懂LCD怎么驱动，那好办，看一下datasheet，参考一下阿别人的程序，很快就可以做出来。但是如果不懂程序设计的思想的话，会给你做项目的过程中带来很多很多的困惑。参考了市面上各种各样的嵌入式书籍，MCS-51...; 火辣西米秀微控制器 MCU

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各位高手,44B0初级问题呀: 这个程序怎么有这样的运行效果????环境是ADS1.2PE口接了几个LED;我是初学者,想从最基本的开始,44B0板我就写一个短短的程序就让一个LED闪烁,就遇到这么多问题.我不用外部RAM,用内部8K的RAM.在编译之前是不是得改一下ROBASE中的内容?改在内部RAM的地址?这个内容对MAKE有什么影响?烧FLASH时也要添RAM的起使地址,又有什么用?我把下面的程序烧进去之后灯就闪烁了,但是...; dianzijie5 ARM技术

TMS320C6416定时器1中断的使用: 软件开发环境环境：CCS3.1，在CCS Setup中设置成Simulator模式CPU：TMS320C6416工程共包含三个文件：main.c，Vectors.asm，BootLoader.cmd另外还添加了一个库文件：rts6400.lib，根据我的CCS安装目录，该文件位于C:\CCStudio_v3.1\C6000\cgtools\lib目录下【源文件main.c】//由于使用了print...; 灞波儿奔 DSP 与 ARM 处理器

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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