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1N5365

产品描述暂无描述
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小2MB,共5页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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1N5365概述

暂无描述

1N5365规格参数

参数名称属性值
封装类型
Case Style
DO-27
Pd(W)5
VZ(Nom)36
IZT(mA)30
IR(uA)0.5
VR(V)25.9
classDiodes

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1N5333B-1N5388B
Zener Diode
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Features
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
power rating.
Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "B" for ±5% tolerance. other zener voltage
and tolerances are available upon request.
DO-201AD
Mechanical Data
Case:DO-201AD
Polarity: cathode Band
Marking: type number
Approx. weight:
0.032 ounces, 0.9 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
DC pow er dissipation @ T
L
=75, measure at zero lead length (Fig.1)
derate above 75 (NOTE 1)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated
load (JEDEC Method)(NOTE 1,2)
Junction temperature
VALUE
UNIT
P
D
I
FSM
T
J
T
s
5.0
40.0
see fig.5
-55---+150
-55---+150
W
mW
A
Storage temperature range
NOTES:
(1) Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
(2) 8.3ms single half sine-wav e, or equiv alent square wav e, duty cy cle=4 pulses per minute maximum.
Revision:20170701-P1
ht
t
p
:
//
www.lgesem i
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com

 
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