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PHB45NQ10T,118

产品描述N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PHB45NQ10T,118概述

N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

PHB45NQ10T,118规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码D2PAK
针数3
制造商包装代码SOT404
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)260 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)47 A
最大漏极电流 (ID)47 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)188 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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