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APM3195PDC-TRG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA, GREEN PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小146KB,共10页
制造商American Power Devices Inc
标准
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APM3195PDC-TRG概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA, GREEN PACKAGE-3

APM3195PDC-TRG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-243AA
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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