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1SS389(TPH3)

产品描述RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,15V V(RRM),SOD-523
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小206KB,共3页
制造商ECLIPTEK
官网地址http://www.ecliptek.com
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1SS389(TPH3)概述

RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,15V V(RRM),SOD-523

1SS389(TPH3)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ECLIPTEK
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
最大重复峰值反向电压15 V
最大反向电流20 µA
反向测试电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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1SS389
TOSHIBA Diode
Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS389
High Speed Switching Application
Small package
Low forward voltage: V
F
= 0.23V (typ.) @I
F
= 5mA
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Maximum (peak) reverse Voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P*
T
j
T
stg
T
opr
Rating
15
10
200
100
1
150
125
−55∼125
−40∼100
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*:
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
pad dimension of 4 × 4mm.
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4mg (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
V
F (1)
Forward voltage
V
F (2)
V
F (3)
Reverse current
Total capacitance
I
R
CT
Test
Circuit
Test Condition
I
F
= 1mA
I
F
= 5mA
I
F
= 100mA
V
R
= 10V
VR = 0, f = 1MHz
Min
Typ.
0.18
0.23
0.35
20
Max
0.30
0.50
20
40
μA
pF
V
Unit
Equivalent Circuit
(Top View)
Marking
1
2007-11-01
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