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1SS362FV,L3F(T

产品描述Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共4页
制造商ECLIPTEK
官网地址http://www.ecliptek.com
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1SS362FV,L3F(T概述

Rectifier Diode

1SS362FV,L3F(T规格参数

参数名称属性值
厂商名称ECLIPTEK
包装说明R-PDSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用FAST RECOVERY
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.15 W
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压80 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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1SS362FV
TOSHIBA Diode
Silicon Epitaxial Planar Type
1SS362FV
Ultra-High-Speed Switching Applications
Small package
0.22±0.05
Unit: mm
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
0.13±0.05
Excellent in forward current and forward voltage
characteristics:
V
F (3)
= 0.97 V (typ.)
Fast reverse recovery time: t
rr
= 1.6 ns (typ.)
Small total capacitance:
C
T
= 0.9 pF (typ.)
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
0.4
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Maximum (peak) reverse voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10 ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
stg
Rating
85
80
300 *
100 *
1*
150 **
150
−55
to 150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
1
2
3
0.5±0.05
1.ANODE1
2.CATHODE2
3.CATHODE1
ANODE2
VESM
JEDEC
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
JEITA
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
TOSHIBA
1-1Q1A
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
Weight: 1.5 mg (typ.)
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Unit rating. Total rating = unit rating × 0.7
0.5 mm
**: Mounted on an FR4 board
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm (t))
0.45 mm
0.45 mm
0.4 mm
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
V
F (1)
Forward voltage
V
F (2)
V
F (3)
Reverse current
Total capacitance
Reverse recovery time
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
Test
Circuit
Test Condition
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 30 V
V
R
= 80 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA
(Fig. 1)
Min
Typ.
0.63
0.75
0.97
0.9
1.6
Max
1.20
0.1
0.5
4.0
μA
pF
ns
V
Unit
Start of commercial production
2004-09
1
2014-03-01
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