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1N827ATR

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 0.5W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N827ATR概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 0.5W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

1N827ATR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗10 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压6.2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max0.062 mV/°C
工作测试电流7.5 mA
Base Number Matches1

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Temperature Compensated Zener Diode
POWER
500 mW
CASE
TYPE
NUMBER
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
VOLTS
1N821A
1N823A
1N825A
1N827A
1N829A
6.2
6.2
6.2
6.2
6.2
ZENER
TEST
CURRENT
IZT
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
DO-35 CASE
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
10
10
10
10
10
o
VOLTAGE
TEMPERATURE
STABILITY*
VZ MAX
mV
96
48
19
9.0
5.0
TEMPERATURE
COEFFICIENT**
%/
o
C
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
* The maximum Allowable change observed over the entire temperature range ( -55 to +100 C)
** Typical Value
(6-December 2004)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

 
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