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1N6624US

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共3页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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1N6624US概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 900V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N6624US规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压900 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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1N6620 THRU 1N6625
Surface Mount(US)
Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
POWER DISCRETES
Description - Preliminary
Quick reference data
V
R
= 200 - 1000V
I
F
= 1.5 - 2.0 A
t
rr
= 30 - 60ns
V
F
= 1.6 -1.95V
Features
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
Absolute Maximum Ratings
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Working Reverse Voltage
Average Forward Current
@ 110°C at the end caps
Non-Repetitive Surge Current
(tp = 8.3mS @ V
R
& T
JMAX
)
(tp = 8.3mS, @ V
R
& 25°C)
Storage Temperature Range
V
RWM
I
F(AV)
1N 6620U S 1N 6621U S
200
400
1N 6622U S 1N 6623U S 1N 6624U S 1N 6625U S
600
800
900
1000
Units
V
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
A
I
FSM
T
STG
20
20
20
-65 to +175
20
20
15
A
°C
Revision: February, 2010
1
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